La innovación consigue una velocidad de 833 megahercios
Toshiba, desarrolladora de tecnología, anunció su nueva implantación de circuitos más rápida para Memoria de Acceso Aleatorio Dinámico (DRAM, por sus siglas en inglés), dirigida al sistema LSI, y lograr así una velocidad de 833 megahercios a una densidad de 32 megabytes.
De acuerdo con la empresa, debido a que pueden leer más información a mayores velocidades que la memoria externa, las memorias DRAM se aplican a los sistemas en chips para aplicaciones de gráficos.
Para lograr mayor velocidad de operación, Toshiba aplicó un «seudo-sistema de dos puertos», tecnología que divide virtualmente en dos la memoria total, y después lee y escribe la información en paralelo y de forma alterna.
El sistema LSI con memoria DRAM incluida tendrá aplicación en los productos de consumo digitales de la siguiente generación, en las aplicaciones de juegos, teléfonos móviles, proyectores y otras aplicaciones relacionadas con despliegue de imágenes que requieren transferencia a alta velocidad de grandes volúmenes de información.
Toshiba planea aplicar esta tecnología a su proceso de sistema LSI de 65 nanómetros y satisfacer la demanda del mercado para aplicaciones de gráficos avanzados mediante el lanzamiento de la integración de SoC con la nueva memoria DRAM.